ELPHBIG-Acoplamiento electrón-fonón en interfases

Los modelos teóricos tradicionales de las propiedades electrónicas y fonónicas en sólidos se basan en cristales infinitos y perfectos, mientras que los materiales reales presentan interfases, nanoestructuras y defectos que rompen la simetría traslacional. Aunque las técnicas experimentales modernas ya pueden caracterizar estos efectos a escala atómica, los métodos computacionales actuales aún tienen dificultades para simular sistemas tan grandes y desordenados.

Para superar esta brecha, este proyecto desarrollará metodologías avanzadas de simulación del acoplamiento electrón-fonón (e-f) en sistemas realistas de gran tamaño, combinando nuevas metodologías y explotando la aceleración por aprendizaje automático, para extender la modelización e-f a nanoestructuras realistas.

Objetivos Principales

• Interfases de Óxidos: Identificar modos vibracionales locales para comprender los mecanismos microscópicos tras la superconductividad interfacial.

• Defectos en Semiconductores: Cuantificar la recombinación no radiativa considerando la dinámica e-f fuera del equilibrio.

• Materiales 2D y Sistemas Moiré: Desarrollar métodos eficientes para calcular interacciones e-f y efectos anharmónicos.

Impacto

Al unificar la caracterización experimental atómica con modelos predictivos a escala real, el proyecto ofrecerá una plataforma versátil para el diseño de materiales cuánticos, impulsando aplicaciones en optoelectrónica, dispositivos a nanoescala y física de la materia condensada.